Framleiðandi Vöru númer:
TSM1NB60CW RPG
Product Overview
Framleiðandi:
Taiwan Semiconductor Corporation
Völu númer:
TSM1NB60CW RPG-DG
Lýsing:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount SOT-223
Birgðir:
9590 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12894919
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TSM1NB60CW RPG Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Taiwan Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
138 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
39W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-223
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
TSM1NB60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
TSM1NB60CWRPGDKR
TSM1NB60CWRPGCT
TSM1NB60CWRPGTR
TSM1NB60CW RPGDKR-DG
TSM1NB60CW RPGTR-DG
TSM1NB60CW RPGCT-DG
TSM1NB60CW RPGTR
TSM1NB60CW RPGCT
TSM1NB60CW RPGDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMT6005LPS-13
MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
DMP2088LCP3-7
MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
DMTH6004SPS-13
MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
